Samsung presenta la memoria PRAM o la memoria de cambio de fase, que se dice para ofrecer un algunas correcciones a los problemas prácticos que se presentan por la memoria flash. También dice Samsung que tiene un rendimiento mucho mayor en aplicaciones donde la escritura rápida es importante. Samsung está a la vanguardia de este desarrollo con el primer paquete multi-chip de la industria (MCP) con un chip de la PRAM para uso en teléfonos móviles.

Samsung afirma en su comunicado de prensa que la PRAM 512 megabits en su MCP es compatible con memoria flash NOR de 40 nm de clase, tanto en su hardware y funcionalidad del software, y ello permitirá a los fabricantes de teléfonos para disfrutar de los beneficios de un paquete multi-chip manteniendo al mismo tiempo la plena compatibilidad con tecnologías anteriores de la PRAM independiente chip.

La empresa cree firmemente que los consumidores podrán escribir más rápido y que esta permitiría mejores capacidades de las nuevas tecnologías como la PRAM para cosas como tomar fotos de imágenes, mensajería multimedia y proporcionar la grabación de clips de vídeo para reducir el tiempo de espera en almacenamiento de datos, así como mejorar aún más unidades de estado sólido y HDTV. Es por esta razón que la empresa está presionando para la adopción de este tipo de cosas nuevas.

Se espera que la PRAM será ampliamente aceptada para el próximo año como el próximo gran paso enfocado a la tecnología de memoria y sucesor de flash NOR en electrónica de consumo .